| Type | Beskrivelse |
| Delstatus | Active |
|---|---|
| FET-type | N-Channel |
| Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Afløb til kildespænding (Vdss) | 1200V |
| Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Drevspænding (maks. Rds til, min rds til) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Vgs (maks.) | +25V, -10V |
| Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| FET-funktion | - |
| Effektdissipation (maks.) | 318W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole |
| Leverandørens enhedspakke | HiP247™ |
| Pakke / kasse | TO-247-3 |
| Rohs Status. | Rohs-kompatible |
|---|---|
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
| LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
| Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |
