Type | Beskrivelse |
Delstatus | Active |
---|---|
FET-type | N-Channel |
Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
Afløb til kildespænding (Vdss) | 650V |
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Drevspænding (maks. Rds til, min rds til) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 13A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 18V |
Vgs (maks.) | +22V, -4V |
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 852pF @ 500V |
FET-funktion | - |
Effektdissipation (maks.) | 165W (Tc) |
Driftstemperatur | 175°C (TJ) |
Monteringstype | Through Hole |
Leverandørens enhedspakke | TO-247N |
Pakke / kasse | TO-247-3 |
Rohs Status. | Rohs-kompatible |
---|---|
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |