Type | Beskrivelse |
Delstatus | Active |
---|---|
FET-type | - |
Teknologi | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Afløb til kildespænding (Vdss) | 1200V |
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Drevspænding (maks. Rds til, min rds til) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (maks.) | - |
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 1403pF @ 800V |
FET-funktion | - |
Effektdissipation (maks.) | 170W (Tc) |
Driftstemperatur | 175°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount |
Leverandørens enhedspakke | - |
Pakke / kasse | - |
Rohs Status. | Rohs-kompatible |
---|---|
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |