Type | Beskrivelse |
Delstatus | Active |
---|---|
FET-type | P-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Afløb til kildespænding (Vdss) | 20V |
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
Drevspænding (maks. Rds til, min rds til) | 1.8V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 500mA, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (maks.) | -12V |
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 160pF @ 10V |
FET-funktion | - |
Effektdissipation (maks.) | 1.13W |
Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount |
Leverandørens enhedspakke | X2-DSN1006-3 |
Pakke / kasse | 3-XFDFN |
Rohs Status. | Rohs-kompatible |
---|---|
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |