Type | Beskrivelse |
Delstatus | Active |
---|---|
FET-type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Afløb til kildespænding (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 193A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Effekt - maks | 925W |
Driftstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Chassis Mount |
Pakke / kasse | Module |
Leverandørens enhedspakke | Module |
Rohs Status. | Rohs-kompatible |
---|---|
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | Ikke anvendelig |
LifeCycle Status. | Forældet / slutningen af livet |
Lagerkategorien | Tilgængelig Stock. |