Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gevinst: 10.5dB ~ 14dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gevinst: 10dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gevinst: 10dB ~ 13.5dB, Effekt - maks: 600mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Effekt - maks: 3W,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gevinst: 9dB ~ 13dB, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Frekvens - Overgang: 8GHz, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Gevinst: 9dB ~ 18dB, Effekt - maks: 500mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 9dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 11dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gevinst: 9dB ~ 15.5dB, Effekt - maks: 225mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gevinst: 11dB ~ 12.5dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: 2 NPN (Dual), Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gevinst: 12.5dB ~ 14.5dB, Effekt - maks: 150mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gevinst: 13.5dB ~ 15dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gevinst: 12.5dB ~ 14dB, Effekt - maks: 200mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gevinst: 11dB ~ 13dB, Effekt - maks: 100mW,
Transistortype: NPN, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V, Støjfigur (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gevinst: 14dB ~ 16dB, Effekt - maks: 100mW,
