Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 100

SQM120N10-3M8_GE3

Dele Stock.: 38953

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7414DN-T1-GE3

Dele Stock.: 128182

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.7A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQ3456BEV-T1_GE3

Dele Stock.: 180919

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQM40014EM_GE3

Dele Stock.: 8185

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 35A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI4463BDY-T1-E3

Dele Stock.: 124207

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHP23N60E-GE3

Dele Stock.: 40977

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQJ488EP-T1_GE3

Dele Stock.: 102542

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7478DP-T1-GE3

Dele Stock.: 72362

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQP120N10-3M8_GE3

Dele Stock.: 8429

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-GE3

Dele Stock.: 40462

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM110P06-07L-E3

Dele Stock.: 43657

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM110P08-11L-E3

Dele Stock.: 26593

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 80V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQM85N15-19_GE3

Dele Stock.: 41153

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM70101EL-GE3

Dele Stock.: 5857

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHH11N65E-T1-GE3

Dele Stock.: 31998

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 363 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHP7N60E-GE3

Dele Stock.: 31909

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHA21N65EF-E3

Dele Stock.: 14182

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

IRLL110TRPBF

Dele Stock.: 177510

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHH21N60EF-T1-GE3

Dele Stock.: 24041

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 11A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHB24N65ET1-GE3

Dele Stock.: 8432

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 650V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQM100N10-10_GE3

Dele Stock.: 43589

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-E3

Dele Stock.: 35075

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7439DP-T1-GE3

Dele Stock.: 35018

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 150V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5.2A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM70040M-GE3

Dele Stock.: 40354

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 100V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHB20N50E-GE3

Dele Stock.: 20238

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM50020EL-GE3

Dele Stock.: 40423

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIHP15N60E-E3

Dele Stock.: 22504

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQM120N06-06_GE3

Dele Stock.: 5875

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SUM40010EL-GE3

Dele Stock.: 42698

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 40V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-E3

Dele Stock.: 110356

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQP90P06-07L_GE3

Dele Stock.: 8376

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 60V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQM120N03-1M5L_GE3

Dele Stock.: 39214

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 30V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIDR610DP-T1-GE3

Dele Stock.: 8141

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIA459EDJ-T1-GE3

Dele Stock.: 190565

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 20V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 4.5V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SQP10250E_GE3

Dele Stock.: 8326

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 250V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Ønskeseddel

Vishay Siliconix

SIB441EDK-T1-GE3

Dele Stock.: 166611

FET-type: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 12V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

Ønskeseddel