Transistorer - bipolar (BJT) - enkelt, præ-f | Diskrete halvlederprodukter | 5

PDTC124TK,115

Dele Stock.: 1921

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA124EE,115

Dele Stock.: 1920

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC124EK,115

Dele Stock.: 2035

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC124TS,126

Dele Stock.: 1989

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA144TE,115

Dele Stock.: 3251

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTB123TS,126

Dele Stock.: 3227

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC143EK,115

Dele Stock.: 1932

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA143EK,115

Dele Stock.: 2057

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA144VK,115

Dele Stock.: 1942

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTD123TS,126

Dele Stock.: 1954

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA143XK,115

Dele Stock.: 1913

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC143EEF,115

Dele Stock.: 1982

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

Dele Stock.: 1997

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

Dele Stock.: 1965

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 1 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 1 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

Dele Stock.: 1970

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

Dele Stock.: 1980

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA143XE,115

Dele Stock.: 1941

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PBRP123ES,126

Dele Stock.: 1949

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 800mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 2.2 kOhms,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA123YS,126

Dele Stock.: 2027

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA144EK,115

Dele Stock.: 1993

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC123JE,115

Dele Stock.: 1946

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTB123YK,115

Dele Stock.: 1943

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTB123EK,115

Dele Stock.: 1946

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC114TK,115

Dele Stock.: 2044

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA143XS,126

Dele Stock.: 1934

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

Dele Stock.: 1932

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PBRN123YK,115

Dele Stock.: 1929

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 600mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA123JE,115

Dele Stock.: 3222

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

Dele Stock.: 1989

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 4.7 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

Dele Stock.: 1920

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 10 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTD123YS,126

Dele Stock.: 2006

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

Dele Stock.: 1928

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

Dele Stock.: 1992

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 500mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

Dele Stock.: 1995

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 2.2 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 10 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTA144WS,126

Dele Stock.: 1954

Transistortype: PNP - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 47 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 22 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel

NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

Dele Stock.: 2012

Transistortype: NPN - Pre-Biased, Strøm - Samler (Ic) (maks.): 100mA, Spænding - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Modstand - base (R1): 22 kOhms, Modstand - Emitterbase (R2): 47 kOhms, DC Strømforstærkning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Ønskeseddel