Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single | Diskrete halvlederprodukter | 17

APT1002RBNG

Dele Stock.: 6299

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT1001RBN

Dele Stock.: 2149

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5.5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT80SM120S

Dele Stock.: 2172

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT80SM120J

Dele Stock.: 2121

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT80SM120B

Dele Stock.: 2112

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT70SM70J

Dele Stock.: 6264

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT70SM70S

Dele Stock.: 2124

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT25SM120S

Dele Stock.: 2166

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT70SM70B

Dele Stock.: 2170

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 700V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT25SM120B

Dele Stock.: 2084

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT7M120B

Dele Stock.: 9685

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT50MC120JCU2

Dele Stock.: 704

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 71A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT40SM120S

Dele Stock.: 2514

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT40SM120B

Dele Stock.: 1859

FET-type: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

Dele Stock.: 1625

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

Dele Stock.: 1333

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

Dele Stock.: 1604

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 109A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT14M100S

Dele Stock.: 8207

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT18M80S

Dele Stock.: 1606

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT12057JLL

Dele Stock.: 1638

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT53N60SC6

Dele Stock.: 1604

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT12067JLL

Dele Stock.: 1582

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

Dele Stock.: 6180

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

Dele Stock.: 1620

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

Dele Stock.: 1078

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

Dele Stock.: 1668

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

Dele Stock.: 2047

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 900V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

Dele Stock.: 2243

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT20M120JCU2

Dele Stock.: 2294

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1200V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT5014SLLG/TR

Dele Stock.: 6205

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 500V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT38N60SC6

Dele Stock.: 1657

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APTML60U12R020T1AG

Dele Stock.: 1584

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT30N60SC6

Dele Stock.: 6234

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 600V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT17F100S

Dele Stock.: 6915

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 9A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT9F100S

Dele Stock.: 1569

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 1000V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 5A, 10V,

Ønskeseddel

Microsemi Corporation

APT11F80S

Dele Stock.: 1633

FET-type: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Afløb til kildespænding (Vdss): 800V, Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Drevspænding (maks. Rds til, min rds til): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

Ønskeseddel