Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 256b (32 x 8),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 1Kb (256 x 4),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 512b (256 x 2),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 4Kb (256 x 16),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 64Kb (8K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 170ns,
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 256Kb (32K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 100ns,
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 2Kb (256 x 8),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 512b (512 x 1),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 16Kb (2K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 150ns,
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 2Kb (2K x 1),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 4Kb (4K x 1),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Hukommelsesstørrelse: 896b (112 x 8),
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 16Kb (2K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 100ns,
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 16Kb (2K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 120ns,
Hukommelsestype: Non-Volatile, Hukommelsesformat: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Hukommelsesstørrelse: 16Kb (2K x 8), Skriv cyklustid - Word, side: 200ns,